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EUV露光装置とは？

極端紫外線（EUV）と呼ばれる非常に短い波長の光を使用して、ナノメートルレベルの微細な回路パターンをシリコンウェハ上に描画できる半導体製造装置のことです。

この装置の大きなメリットは従来の露光技術では困難だった7nm以下の微細な回路形成を実現し、半導体の集積度と性能を大幅に向上させられる点です。スマートフォンや高性能サーバーチップ、AI専用チップなどの製造に欠かせない技術となっており、より高い処理能力と低い消費電力を実現する中核技術として、デジタル社会の進化を支えています。

装置内部ではスズにレーザーを当てて発生させた高温プラズマからEUV光を作り出し、特殊な多層膜ミラーで反射させながらマスクのパターンをウェハに転写します。EUV光は空気に吸収されてしまうため、装置全体が真空環境で構成されている点も特徴です。

従来技術では複数回の露光が必要だった微細パターンも、EUVでは一度で描ける場合が多く、工程の簡略化や生産効率の向上にもつながります。一方で、装置は非常に複雑で、1台数百億円規模と高額であること、光源の維持やミラーの汚染対策など運用面の難しさも課題とされています。現在、オランダのASML社がEUV露光装置のシェアを独占しており、日本企業はレジスト材料やマスクブランクスなどの重要部品で大きな役割を果たしています。